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并行的研究：采用交織技術(shù)，外部串行，內部并行。

即使閃存架構支持交錯，它們也會(huì )受到嚴格限制。因此，例如，同一閃存plane上的操作不能交錯。這表明相同的package交錯最適用于精心設計的一組相關(guān)操作，例如圖2所示的多頁(yè)讀或寫(xiě)  。我們檢查的三星部件支持快速內部復制操作，允許將數據復制到片上的另一個(gè)模塊而不會(huì )穿過(guò)串行引腳。這種優(yōu)化是有代價(jià)的：數據只能在同一個(gè)閃存plane（2048塊）內復制。兩個(gè)這樣的副本本身可以在不同的plane上交錯，結果產(chǎn)生與圖2所示的完全交錯的封裝間復制相似的性能,但不要壟斷串行引腳。